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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Art | Crest Factor Reduction |
Mitgelieferter Inhalt | Board(s) |
Serie | - |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Frequenz | - |
Zum Gebrauch mit / Verwandte Produkte | GC1115 |
Grundproduktnummer | GC1115 |
GC1115EVM Einzelheiten PDF [English] | GC1115EVM PDF - EN.pdf |
DIODE SIL CARB 1.2KV 54A TO220-2
ZOWIE 2010
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
TI BGA
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
THERM NTC 10.74KOHM 3480K BEAD
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
THERM NTC 10.74KOHM 3480K BEAD
DIODE SIL CARB 1.2KV 50A TO252-2
IC WIDEBAND CFR PROCESSOR 256BGA
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
EVAL KIT FOR GC1115
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
CRYSTAL METAL CAN 49S/SMD T&R 1K
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() GC1115EVM |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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